SQD40P10-40L_GE3

制造商编号:
SQD40P10-40L_GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET P-CH 100V 38A TO252AA
规格说明书:
SQD40P10-40L_GE3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 27.590092 27.59
10 24.797512 247.98
100 19.933499 1993.35

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 38A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 40 毫欧 @ 8.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 144 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5540 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 136W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装: 2,000

客服

购物车

SQD40P10-40L_GE3

型号:SQD40P10-40L_GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET P-CH 100V 38A TO252AA

库存:0

单价:

1+: ¥27.590092
10+: ¥24.797512
100+: ¥19.933499
500+: ¥16.377474
1000+: ¥14.037799
2000+: ¥14.037799

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥27.59