NVMS10P02R2G

制造商编号:
NVMS10P02R2G
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
规格说明书:
NVMS10P02R2G说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1+ : 需询价

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: Automotive, AEC-Q101
包装: 卷带(TR)
零件状态: 停产
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): -
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -
FET 功能: -
功率耗散(最大值): -
工作温度: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SOIC
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准包装: 2,500

客服

购物车

NVMS10P02R2G

型号:NVMS10P02R2G

品牌:ON安森美

描述:MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC

库存:0

单价:

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥0.00