货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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4000 | ¥7.828213 | ¥31312.85 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Infineon(英飞凌) |
系列: | HEXFET® |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 20 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 28A(Ta),105A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 2.5V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 3 毫欧 @ 20A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.1V @ 50µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 86 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±12V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 3710 pF @ 10 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 3.6W(Ta),52W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | 8-PQFN(5x6) |
封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
标准包装: | 4,000 |
IRLH6224TRPBF
型号:IRLH6224TRPBF
品牌:Infineon英飞凌
描述:MOSFET N-CH 20V 28A/105A 8PQFN
库存:0
单价:
4000+: | ¥7.828213 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00