库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ON(安森美) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | 停产 |
| IGBT 类型: | - |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 600 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 6 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 24 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 2V @ 15V，3A |
| 功率 - 最大值: | 33 W |
| 开关能量: | 85µJ（开），245µJ（关） |
| 输入类型: | 标准 |
| 栅极电荷: | 10.8 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值: | - |
| 测试条件: | 480V，3A，82 欧姆，15V |
| 工作温度: | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 供应商器件封装: | TO-252AA |
| 标准包装: | 2,500 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| STGD3NB60SDT4 | STMicroelectronics | ¥8.68000 | 类似 |
| SGD02N60BUMA1 | Infineon Technologies | ¥6.35107 | 类似 |
| IKD03N60RFATMA1 | Infineon Technologies | ¥8.29000 | 类似 |
HGTD3N60C3S9A
型号：HGTD3N60C3S9A
品牌：ON安森美
描述：IGBT 600V 6A 33W TO252AA
库存：0
单价：
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00