STGW80V60DF

制造商编号:
STGW80V60DF
制造商:
ST意法半导体
描述:
IGBT 600V 120A 469W TO247
规格说明书:
STGW80V60DF说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 71.704398 71.70
10 64.777656 647.78
25 61.760029 1544.00

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 120 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 240 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.3V @ 15V,80A
功率 - 最大值: 469 W
开关能量: 1.8mJ(开),1mJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 448 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 60ns/220ns
测试条件: 400V,80A,5 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 60 ns
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3 裸露焊盘
供应商器件封装: TO-247
标准包装: 30

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
NGTB45N60SWG Rochester Electronics, LLC ¥20.63267 类似
IGW50N60H3FKSA1 Infineon Technologies ¥43.01000 类似
NGTB45N60S2WG onsemi ¥32.18000 类似
FGH60N60SFDTU onsemi ¥50.38000 类似

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STGW80V60DF

型号:STGW80V60DF

品牌:ST意法半导体

描述:IGBT 600V 120A 469W TO247

库存:0

单价:

1+: ¥71.704398
10+: ¥64.777656
25+: ¥61.760029
100+: ¥53.626609
250+: ¥51.216859
500+: ¥49.738756

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥71.70