库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 托盘
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥33.321968 | ￥33.32 |
| 25 | ￥27.72885 | ￥693.22 |
| 100 | ￥25.103129 | ￥2510.31 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Microchip(微芯) |
| 系列: | - |
| 包装: | 托盘 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 N-通道（双） |
| FET 功能: | 耗尽模式 |
| 漏源电压（Vdss）: | 250V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 1.1A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 3.5 欧姆 @ 1A，0V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | - |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 7.04nC @ 1.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1000pF @ 25V |
| 功率 - 最大值: | - |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商器件封装: | 8-DFN（5x5） |
| 标准包装: | 490 |
DN2625DK6-G
型号：DN2625DK6-G
品牌：Microchip微芯
描述：MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN
库存：0
单价：
| 1+： | ￥33.321968 |
| 25+： | ￥27.72885 |
| 100+： | ￥25.103129 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥33.32