货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥4.302015 | ¥4.30 |
10 | ¥3.456532 | ¥34.57 |
100 | ¥2.352804 | ¥235.28 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Vishay(威世) |
系列: | TrenchFET® |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 6.3A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 40 毫欧 @ 5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 9 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 325 pF @ 15 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 1.7W(Ta),2.7W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | 6-TSOP |
封装/外壳: | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
标准包装: | 3,000 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
RSQ020N03TR | Rohm Semiconductor | ¥5.45000 | 类似 |
DMN3033LDM-7 | Diodes Incorporated | ¥4.07000 | 类似 |
RSQ045N03TR | Rohm Semiconductor | ¥5.61000 | 类似 |
RTQ035N03TR | Rohm Semiconductor | ¥5.30000 | 类似 |
RTQ045N03TR | Rohm Semiconductor | ¥5.15000 | 类似 |
SI3456DDV-T1-E3
型号:SI3456DDV-T1-E3
品牌:Vishay威世
描述:MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP
库存:0
单价:
1+: | ¥4.302015 |
10+: | ¥3.456532 |
100+: | ¥2.352804 |
500+: | ¥1.764572 |
1000+: | ¥1.323429 |
3000+: | ¥1.213143 |
6000+: | ¥1.139624 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥4.30