SI3456DDV-T1-E3

制造商编号:
SI3456DDV-T1-E3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP
规格说明书:
SI3456DDV-T1-E3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 4.302015 4.30
10 3.456532 34.57
100 2.352804 235.28

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: TrenchFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.3A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 40 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 9 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 325 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.7W(Ta),2.7W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 6-TSOP
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
RSQ020N03TR Rohm Semiconductor ¥5.45000 类似
DMN3033LDM-7 Diodes Incorporated ¥4.07000 类似
RSQ045N03TR Rohm Semiconductor ¥5.61000 类似
RTQ035N03TR Rohm Semiconductor ¥5.30000 类似
RTQ045N03TR Rohm Semiconductor ¥5.15000 类似

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SI3456DDV-T1-E3

型号:SI3456DDV-T1-E3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP

库存:0

单价:

1+: ¥4.302015
10+: ¥3.456532
100+: ¥2.352804
500+: ¥1.764572
1000+: ¥1.323429
3000+: ¥1.213143
6000+: ¥1.139624

货期:1-2天

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单价:¥0.00总价:¥4.30