库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 散装
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥1617.520422 | ￥1617.52 |
| 10 | ￥1611.900448 | ￥16119.00 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | IXYS(艾赛斯) |
| 系列: | HiPerFET™ |
| 包装: | 散装 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 580A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 3.8 毫欧 @ 430A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 50mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 2750 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | - |
| 工作温度: | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 底座安装 |
| 供应商器件封装: | Y3-Li |
| 封装/外壳: | Y3-Li |
| 标准包装: | 2 |
VMO580-02F
型号：VMO580-02F
品牌：IXYS艾赛斯
描述：MOSFET N-CH 200V 580A Y3-LI
库存：0
单价：
| 1+： | ￥1617.520422 |
| 10+： | ￥1611.900448 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥1617.52