货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥11.749724 | ¥11.75 |
10 | ¥10.493933 | ¥104.94 |
100 | ¥8.185019 | ¥818.50 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | ON(安森美) |
系列: | PowerTrench® |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 N-通道(双) |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 4.8A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 40 毫欧 @ 4.8A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 5.6nC @ 5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 465pF @ 15V |
功率 - 最大值: | 750mW |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-PowerWDFN |
供应商器件封装: | 8-MLP,MicroFET(3x1.9) |
标准包装: | 3,000 |
FDMB3800N
型号:FDMB3800N
品牌:ON安森美
描述:MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET
库存:0
单价:
1+: | ¥11.749724 |
10+: | ¥10.493933 |
100+: | ¥8.185019 |
500+: | ¥6.761326 |
1000+: | ¥5.66134 |
3000+: | ¥5.66134 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥11.75