FDMB3800N

制造商编号:
FDMB3800N
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET
规格说明书:
FDMB3800N说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 11.749724 11.75
10 10.493933 104.94
100 8.185019 818.50

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: PowerTrench®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 40 毫欧 @ 4.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 5.6nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 465pF @ 15V
功率 - 最大值: 750mW
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerWDFN
供应商器件封装: 8-MLP,MicroFET(3x1.9)
标准包装: 3,000

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FDMB3800N

型号:FDMB3800N

品牌:ON安森美

描述:MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET

库存:0

单价:

1+: ¥11.749724
10+: ¥10.493933
100+: ¥8.185019
500+: ¥6.761326
1000+: ¥5.66134
3000+: ¥5.66134

货期:1-2天

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