- 制造商编号：
- RV2C002UNT2L
- 制造商：
- Rohm Semiconductor罗姆
- 描述：
- MOSFET N-CH 20V 180MA DFN1006-3
- 规格说明书：
- RV2C002UNT2L说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥3.681748 | ￥3.68 |
| 10 | ￥3.002391 | ￥30.02 |
| 100 | ￥1.591473 | ￥159.15 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Rohm Semiconductor(罗姆) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 180mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 1.2V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 2 欧姆 @ 150mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1V @ 100µA |
| Vgs（最大值）: | ±10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 12 pF @ 10 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 100mW（Ta） |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | VML1006 |
| 封装/外壳: | SC-101，SOT-883 |
| 标准包装: | 8,000 |
RV2C002UNT2L
型号：RV2C002UNT2L
品牌：Rohm Semiconductor罗姆
描述：MOSFET N-CH 20V 180MA DFN1006-3
库存：0
单价：
| 1+： | ￥3.681748 |
| 10+： | ￥3.002391 |
| 100+： | ￥1.591473 |
| 500+： | ￥1.047121 |
| 1000+： | ￥0.712025 |
| 2000+： | ￥0.642266 |
| 8000+： | ￥0.558486 |
| 16000+： | ￥0.474717 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥3.68