- 制造商编号：
- IPD50N06S4L08ATMA2
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 描述：
- MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
- 规格说明书：
- IPD50N06S4L08ATMA2说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥12.508171 | ￥12.51 |
| 10 | ￥11.220054 | ￥112.20 |
| 100 | ￥8.746519 | ￥874.65 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 50A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 7.8 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.2V @ 35µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 64 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 4780 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 71W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | PG-TO252-3-11 |
| 封装/外壳: | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 标准包装: | 2,500 |
IPD50N06S4L08ATMA2
型号：IPD50N06S4L08ATMA2
品牌：Infineon英飞凌
描述：MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
库存：0
单价：
| 1+： | ￥12.508171 |
| 10+： | ￥11.220054 |
| 100+： | ￥8.746519 |
| 500+： | ￥7.225769 |
| 1000+： | ￥6.338323 |
| 2500+： | ￥6.338323 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥12.51