货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥17.50825 | ¥17.51 |
10 | ¥15.730068 | ¥157.30 |
100 | ¥12.646519 | ¥1264.65 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Vishay(威世) |
系列: | ThunderFET® |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 250 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 4.3A(Ta),14.4A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 7.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 102 毫欧 @ 4.3A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 22.4 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 860 pF @ 100 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 5W(Ta),56.8W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | PowerPAK® SO-8 |
封装/外壳: | PowerPAK® SO-8 |
标准包装: | 3,000 |
SI7190ADP-T1-RE3
型号:SI7190ADP-T1-RE3
品牌:Vishay威世
描述:MOSFET N-CH 250V 4.3A/14.4A PPAK
库存:0
单价:
1+: | ¥17.50825 |
10+: | ¥15.730068 |
100+: | ¥12.646519 |
500+: | ¥10.390667 |
1000+: | ¥8.906216 |
3000+: | ¥8.774505 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥17.51