- 制造商编号：
- RQ3E100ATTB
- 制造商：
- Rohm Semiconductor罗姆
- 描述：
- MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
- 规格说明书：
- RQ3E100ATTB说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥8.591597 | ￥8.59 |
| 10 | ￥7.590694 | ￥75.91 |
| 100 | ￥5.819781 | ￥581.98 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Rohm Semiconductor(罗姆) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | P 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 10A（Ta），31A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 11.4mOhm @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 42 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1900 pF @ 15 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 2W（Ta） |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 8-HSMT（3.2x3） |
| 封装/外壳: | 8-PowerVDFN |
| 标准包装: | 3,000 |
RQ3E100ATTB
型号：RQ3E100ATTB
品牌：Rohm Semiconductor罗姆
描述：MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
库存：0
单价：
| 1+： | ￥8.591597 |
| 10+： | ￥7.590694 |
| 100+： | ￥5.819781 |
| 500+： | ￥4.600496 |
| 1000+： | ￥3.680386 |
| 3000+： | ￥3.335367 |
| 6000+： | ￥3.136704 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥8.59