- 制造商编号：
- ESH1DM RSG
- 制造商：
- Taiwan Semiconductor台湾积体电路
- 描述：
- DIODE GEN PURP 200V 1A MICRO SMA
- 规格说明书：
- ESH1DM RSG说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.774491 | ￥4.77 |
| 10 | ￥4.125459 | ￥41.25 |
| 100 | ￥3.079547 | ￥307.95 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Taiwan Semiconductor(台湾积体电路) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| 二极管类型: | 标准 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: | 200 V |
| 电流 - 平均整流 (Io): | 1A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): | 1.5 V @ 1 A |
| 速度: | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr): | 25 ns |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: | 1 µA @ 200 V |
| 不同 Vr、F 时电容: | 3pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 2-SMD，扁平引线 |
| 供应商器件封装: | 微型 SMA |
| 工作温度 - 结: | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装: | 3,000 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| RF05VAM2STR | Rohm Semiconductor | ¥3.15000 | 类似 |
ESH1DM RSG
型号：ESH1DM RSG
品牌：Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述：DIODE GEN PURP 200V 1A MICRO SMA
库存：0
单价：
| 1+： | ￥4.774491 |
| 10+： | ￥4.125459 |
| 100+： | ￥3.079547 |
| 500+： | ￥2.419498 |
| 1000+： | ￥1.869586 |
| 3000+： | ￥1.704605 |
| 6000+： | ￥1.594643 |
| 15000+： | ￥1.499663 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.77