A2G35S160-01SR3

制造商编号:
A2G35S160-01SR3
制造商:
NXP恩智浦
描述:
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
规格说明书:
A2G35S160-01SR3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 2381.028655 2381.03
250 1593.129786 398282.45

规格参数

属性 参数值
制造商: NXP(恩智浦)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
晶体管类型: LDMOS
频率: 3.4GHz ~ 3.6GHz
增益: 15.7dB
电压 - 测试: 48 V
额定电流(安培): -
噪声系数: -
电流 - 测试: 190 mA
功率 - 输出: 51dBm
电压 - 额定: 125 V
封装/外壳: NI-400S-2S
供应商器件封装: NI-400S-2S
标准包装: 250

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
VRF141 Microchip Technology ¥537.88000 类似
BLP9G0722-20Z Ampleon USA Inc. ¥137.54000 类似
CGH55015F2 Wolfspeed, Inc. ¥670.74000 类似
BLF573,112 Ampleon USA Inc. ¥877.78000 类似
BLS9G2735LS-50U Ampleon USA Inc. ¥734.71000 类似

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A2G35S160-01SR3

型号:A2G35S160-01SR3

品牌:NXP恩智浦

描述:AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

库存:0

单价:

1+: ¥2381.028655
250+: ¥1593.129786

货期:1-2天

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