库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 散装
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥2379.499326 | ￥2379.50 |
| 10 | ￥2371.277006 | ￥23712.77 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | IXYS(艾赛斯) |
| 系列: | HiPerFET™ |
| 包装: | 散装 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 N-通道（双） |
| FET 功能: | 标准 |
| 漏源电压（Vdss）: | 900V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 85A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 76 毫欧 @ 65A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 5V @ 30mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 960nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | - |
| 功率 - 最大值: | - |
| 工作温度: | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 底座安装 |
| 封装/外壳: | Y3-Li |
| 供应商器件封装: | Y3-Li |
| 标准包装: | 2 |
VMM90-09F
型号：VMM90-09F
品牌：IXYS艾赛斯
描述：MOSFET 2N-CH 900V 85A Y3-LI
库存：0
单价：
| 1+： | ￥2379.499326 |
| 10+： | ￥2371.277006 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥2379.50