DN3765K4-G

制造商编号:
DN3765K4-G
制造商:
Microchip微芯
描述:
MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3
规格说明书:
DN3765K4-G说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 30.023912 30.02
25 25.133913 628.35
100 22.821023 2282.10

规格参数

属性 参数值
制造商: Microchip(微芯)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 300mA(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 0V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8 欧姆 @ 150mA,0V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 825 pF @ 25 V
FET 功能: 耗尽模式
功率耗散(最大值): 2.5W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252-3
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装: 2,000

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DN3765K4-G

型号:DN3765K4-G

品牌:Microchip微芯

描述:MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3

库存:0

单价:

1+: ¥30.023912
25+: ¥25.133913
100+: ¥22.821023
2000+: ¥22.821103

货期:1-2天

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