CSD17573Q5B

制造商编号:
CSD17573Q5B
制造商:
TI德州仪器
描述:
MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
规格说明书:
CSD17573Q5B说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 16.99669 17.00
10 15.306968 153.07
100 12.304758 1230.48

规格参数

属性 参数值
制造商: TI(德州仪器)
系列: NexFET™
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1 毫欧 @ 35A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 64 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 9000 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3.2W(Ta),195W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-VSON-CLIP(5x6)
封装/外壳: 8-PowerTDFN
标准包装: 2,500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
BSC009NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies ¥16.74000 类似

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CSD17573Q5B

型号:CSD17573Q5B

品牌:TI德州仪器

描述:MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON

库存:0

单价:

1+: ¥16.99669
10+: ¥15.306968
100+: ¥12.304758
500+: ¥10.110009
1000+: ¥9.190845
2500+: ¥9.190845

货期:1-2天

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