货期: 国内(1~2天)
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥41.254585 | ¥41.25 |
10 | ¥37.019711 | ¥370.20 |
100 | ¥30.329083 | ¥3032.91 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Infineon(英飞凌) |
系列: | HEXFET® |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 250 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 19A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 46 毫欧 @ 11A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 110 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 4480 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 46W(Tc) |
工作温度: | -40°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-220AB |
封装/外壳: | TO-220-3 |
标准包装: | 50 |
IRFI4229PBF
型号:IRFI4229PBF
品牌:Infineon英飞凌
描述:MOSFET N-CH 250V 19A TO220AB
库存:488
单价:
1+: | ¥41.254585 |
10+: | ¥37.019711 |
100+: | ¥30.329083 |
500+: | ¥25.922402 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥41.25