库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥12.69804 | ￥12.70 |
| 10 | ￥11.362124 | ￥113.62 |
| 100 | ￥8.858764 | ￥885.88 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Vishay(威世) |
| 系列: | TrenchFET® |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 和 P 沟道 |
| FET 功能: | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss）: | 40V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 10A，9.2A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 17.5 毫欧 @ 8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 31nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 855pF @ 20V |
| 功率 - 最大值: | 3.1W，3.2W |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装: | 8-SOIC |
| 标准包装: | 2,500 |
SI4564DY-T1-GE3
型号：SI4564DY-T1-GE3
品牌：Vishay威世
描述：MOSFET N/P-CH 40V 10A 8SOIC
库存：0
单价：
| 1+： | ￥12.69804 |
| 10+： | ￥11.362124 |
| 100+： | ￥8.858764 |
| 500+： | ￥7.318061 |
| 1000+： | ￥5.777426 |
| 2500+： | ￥5.777426 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥12.70