库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ST(意法半导体) |
| 系列: | STripFET™ V |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 65A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 6.9 毫欧 @ 32.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 8 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值）: | ±22V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1290 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 50W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | DPAK |
| 封装/外壳: | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 标准包装: | 2,500 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IPD060N03LGATMA1 | Infineon Technologies | ¥8.68000 | 类似 |
| TK50P03M1(T6RSS-Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | ¥7.45000 | 类似 |
| IRLR8256TRPBF | Infineon Technologies | ¥6.83000 | 类似 |
| IRFR3709ZTRLPBF | Infineon Technologies | ¥7.91000 | 类似 |
STD65N3LLH5
型号：STD65N3LLH5
品牌：ST意法半导体
描述：MOSFET N CH 30V 65A DPAK
库存：0
单价：
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00