库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥9.735485 | ￥9.74 |
| 10 | ￥8.565486 | ￥85.65 |
| 100 | ￥6.56393 | ￥656.39 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Toshiba(东芝) |
| 系列: | U-MOSVIII-H |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 43A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 15 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 200µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 16 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1050 pF @ 30 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 53W（Tc） |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-220 |
| 封装/外壳: | TO-220-3 |
| 标准包装: | 50 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| FDP16AN08A0 | Rochester Electronics, LLC | ¥4.68212 | 类似 |
| IXTP70N075T2 | IXYS | ¥20.81000 | 类似 |
TK30E06N1,S1X
型号：TK30E06N1,S1X
品牌：Toshiba东芝
描述：MOSFET N-CH 60V 43A TO220
库存：0
单价：
| 1+： | ￥9.735485 |
| 10+： | ￥8.565486 |
| 100+： | ￥6.56393 |
| 500+： | ￥5.188877 |
| 1000+： | ￥4.151109 |
| 2000+： | ￥3.761951 |
| 5000+： | ￥3.537873 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥9.74