DMPH6050SFGQ-13

制造商编号:
DMPH6050SFGQ-13
制造商:
Diodes美台
描述:
MOSFET P-CH 60V PWRDI3333
规格说明书:
DMPH6050SFGQ-13说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
3000 4.005586 12016.76

规格参数

属性 参数值
制造商: Diodes(美台)
系列: Automotive, AEC-Q101
包装: 卷带(TR)
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.1A(Ta),18A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 50 毫欧 @ 7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 24.1 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1293 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.2W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerDI3333-8
封装/外壳: 8-PowerVDFN
标准包装: 3,000

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DMPH6050SFGQ-13

型号:DMPH6050SFGQ-13

品牌:Diodes美台

描述:MOSFET P-CH 60V PWRDI3333

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