库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.202547 | ￥4.20 |
| 10 | ￥3.580868 | ￥35.81 |
| 100 | ￥2.676575 | ￥267.66 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Toshiba(东芝) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss): | 2.6 mA @ 10 V |
| 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off): | 400 mV @ 100 nA |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 8.2pF @ 10V |
| 功率 - 最大值: | 100 mW |
| 工作温度: | 125°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | SC-70，SOT-323 |
| 供应商器件封装: | USM |
| 标准包装: | 3,000 |
2SK879-GR(TE85L,F)
型号：2SK879-GR(TE85L,F)
品牌：Toshiba东芝
描述：JFET N-CH 0.1W USM
库存：0
单价：
| 1+： | ￥4.202547 |
| 10+： | ￥3.580868 |
| 100+： | ￥2.676575 |
| 500+： | ￥2.102865 |
| 1000+： | ￥1.624943 |
| 3000+： | ￥1.481547 |
| 6000+： | ￥1.385982 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.20