DMTH6016LPS-13

制造商编号:
DMTH6016LPS-13
制造商:
Diodes美台
描述:
MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
规格说明书:
DMTH6016LPS-13说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 6.204351 6.20
10 5.337732 53.38
100 3.984586 398.46

规格参数

属性 参数值
制造商: Diodes(美台)
系列: Automotive, AEC-Q101
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10.6A(Ta),37.1A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 16 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 17 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 864 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3W(Ta),37.5W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerDI5060-8
封装/外壳: 8-PowerTDFN
标准包装: 2,500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
FDMS3500 onsemi ¥13.67000 类似

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DMTH6016LPS-13

型号:DMTH6016LPS-13

品牌:Diodes美台

描述:MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI

库存:0

单价:

1+: ¥6.204351
10+: ¥5.337732
100+: ¥3.984586
500+: ¥3.131171
1000+: ¥2.419411
2500+: ¥2.205989
5000+: ¥2.063649

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