库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥8.492128 | ￥8.49 |
| 10 | ￥6.980206 | ￥69.80 |
| 100 | ￥6.112965 | ￥611.30 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Vishay(威世) |
| 系列: | TrenchFET® |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 16A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 11.5 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.6V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 45 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1675 pF @ 15 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 3.1W（Ta），5.4W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 8-SOIC |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装: | 2,500 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| AO4468 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | ¥4.38000 | 类似 |
| IRL6342TRPBF | Infineon Technologies | ¥5.22000 | 类似 |
| RS3E095BNGZETB | Rohm Semiconductor | ¥6.99000 | 类似 |
| RSH090N03TB1 | Rohm Semiconductor | ¥7.91000 | 类似 |
| DMG4710SSS-13 | Diodes Incorporated | ¥7.60000 | 类似 |
SI4396DY-T1-GE3
型号：SI4396DY-T1-GE3
品牌：Vishay威世
描述：MOSFET N-CH 30V 16A 8SO
库存：0
单价：
| 1+： | ￥8.492128 |
| 10+： | ￥6.980206 |
| 100+： | ￥6.112965 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥8.49