LND01K1-G

制造商编号:
LND01K1-G
制造商:
Microchip微芯
描述:
MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
规格说明书:
LND01K1-G说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 5.060463 5.06
25 4.308481 107.71
100 4.153807 415.38

规格参数

属性 参数值
制造商: Microchip(微芯)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 9 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 330mA(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 0V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.4 欧姆 @ 100mA,0V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -
Vgs(最大值): +0.6V,-12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 46 pF @ 5 V
FET 功能: 耗尽模式
功率耗散(最大值): 360mW(Ta)
工作温度: -25°C ~ 125°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23-5
封装/外壳: SC-74A,SOT-753
标准包装: 3,000

客服

购物车

LND01K1-G

型号:LND01K1-G

品牌:Microchip微芯

描述:MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5

库存:0

单价:

1+: ¥5.060463
25+: ¥4.308481
100+: ¥4.153807
3000+: ¥4.153782

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥5.06