NVGS5120PT1G

制造商编号:
NVGS5120PT1G
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
规格说明书:
NVGS5120PT1G说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 8.790534 8.79
10 7.839366 78.39
100 6.11197 611.20

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: Automotive, AEC-Q101
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 111 毫欧 @ 2.9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 18.1 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 942 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 600mW(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 6-TSOP
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
标准包装: 3,000

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NVGS5120PT1G

型号:NVGS5120PT1G

品牌:ON安森美

描述:MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP

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单价:

1+: ¥8.790534
10+: ¥7.839366
100+: ¥6.11197
500+: ¥5.0489
1000+: ¥4.227625
3000+: ¥4.227625

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