RS2BHE3/5BT

制造商编号:
RS2BHE3/5BT
制造商:
Vishay威世
描述:
DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO214AA
规格说明书:
RS2BHE3/5BT说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: Digi-Key 停止提供
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 100 V
电流 - 平均整流 (Io): 1.5A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V @ 1.5 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 150 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 100 V
不同 Vr、F 时电容: 20pF @ 4V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AA,SMB
供应商器件封装: DO-214AA(SMB)
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
标准包装: 3,200

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
S2B-13-F Diodes Incorporated ¥3.84000 类似
RS1BB-13-F Diodes Incorporated ¥3.07000 类似
S2B onsemi ¥3.46000 类似

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RS2BHE3/5BT

型号:RS2BHE3/5BT

品牌:Vishay威世

描述:DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO214AA

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