DMN2016LFG-7

制造商编号:
DMN2016LFG-7
制造商:
Diodes美台
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN
规格说明书:
DMN2016LFG-7说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 6.875764 6.88
10 5.853725 58.54
100 4.373384 437.34

规格参数

属性 参数值
制造商: Diodes(美台)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N 沟道(双)共漏
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 18 毫欧 @ 6A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 16nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1472pF @ 10V
功率 - 最大值: 770mW
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerUDFN
供应商器件封装: U-DFN3030-8
标准包装: 3,000

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DMN2016LFG-7

型号:DMN2016LFG-7

品牌:Diodes美台

描述:MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN

库存:0

单价:

1+: ¥6.875764
10+: ¥5.853725
100+: ¥4.373384
500+: ¥3.436266
1000+: ¥2.655276
3000+: ¥2.420965
6000+: ¥2.264787

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