货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥6.303426 | ¥6.30 |
10 | ¥5.366461 | ¥53.66 |
100 | ¥4.009344 | ¥400.93 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Diodes(美台) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 N 沟道(双)共漏 |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 20V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 5.2A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 18 毫欧 @ 6A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 16nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1472pF @ 10V |
功率 - 最大值: | 770mW |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-PowerUDFN |
供应商器件封装: | U-DFN3030-8 |
标准包装: | 3,000 |
DMN2016LFG-7
型号:DMN2016LFG-7
品牌:Diodes美台
描述:MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN
库存:0
单价:
1+: | ¥6.303426 |
10+: | ¥5.366461 |
100+: | ¥4.009344 |
500+: | ¥3.150231 |
1000+: | ¥2.434251 |
3000+: | ¥2.219444 |
6000+: | ¥2.076266 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥6.30