库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥61.358664 | ￥61.36 |
| 10 | ￥55.437091 | ￥554.37 |
| 100 | ￥45.896691 | ￥4589.67 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ST(意法半导体) |
| 系列: | STripFET™ III |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 180A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 4.5 毫欧 @ 60A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 114.6 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 6665 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 315W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | H2Pak-2 |
| 封装/外壳: | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 标准包装: | 1,000 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| BUK965R8-100E,118 | Nexperia USA Inc. | ¥27.11000 | 类似 |
| IPB042N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | ¥23.35000 | 类似 |
STH180N10F3-2
型号：STH180N10F3-2
品牌：ST意法半导体
描述：MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
库存：0
单价：
| 1+： | ￥61.358664 |
| 10+： | ￥55.437091 |
| 100+： | ￥45.896691 |
| 500+： | ￥41.021373 |
| 1000+： | ￥41.021282 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥61.36