APTC90AM60SCTG

制造商编号:
APTC90AM60SCTG
制造商:
Microsemi美高森美
描述:
MOSFET 2N-CH 900V 59A SP4
规格说明书:
APTC90AM60SCTG说明书

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货期: 8周-10周

封装: 散装

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规格参数

属性 参数值
制造商: Microsemi(美高森美)
系列: CoolMOS™
包装: 散装
零件状态: 停产
FET 类型: 2 个 N 通道(半桥)
FET 功能: 超级结
漏源电压(Vdss): 900V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 59A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 60 毫欧 @ 52A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V @ 6mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 540nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 13600pF @ 100V
功率 - 最大值: 462W
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
封装/外壳: SP4
供应商器件封装: SP4
标准包装: 100

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APTC90AM60SCTG

型号:APTC90AM60SCTG

品牌:Microsemi美高森美

描述:MOSFET 2N-CH 900V 59A SP4

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