- 制造商编号：
- 2N7002KTB_R1_00001
- 制造商：
- Panjit International
- 描述：
- SOT-523, MOSFET
- 规格说明书：
- 2N7002KTB_R1_00001说明书
库存 ：75013
货期： 国内（1~2天）
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥3.431665 | ￥3.43 |
| 10 | ￥2.846044 | ￥28.46 |
| 100 | ￥1.508689 | ￥150.87 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Panjit International |
| 系列: | - |
| 封装/外壳: | SC-89，SOT-490 |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 115mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 3 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 0.8 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 35 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 200mW（Ta） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | SOT-523 扁平引线 |
| 标准包装: | 4,000 |
2N7002KTB_R1_00001
型号：2N7002KTB_R1_00001
品牌：Panjit International
描述：SOT-523, MOSFET
库存：75013
单价：
| 1+： | ￥3.431665 |
| 10+： | ￥2.846044 |
| 100+： | ￥1.508689 |
| 500+： | ￥0.992671 |
| 1000+： | ￥0.674981 |
| 2000+： | ￥0.608772 |
| 4000+： | ￥0.608772 |
| 8000+： | ￥0.529372 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥3.43