IRF3711ZS

制造商编号:
IRF3711ZS
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
规格说明书:
IRF3711ZS说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1+ : 需询价

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: HEXFET®
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 92A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 6 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.45V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 24 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2150 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 79W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D2PAK
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装: 50

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
STB80NF03L-04T4 STMicroelectronics ¥31.49000 类似
BUK9609-40B,118 Nexperia USA Inc. ¥13.52000 类似

客服

购物车

IRF3711ZS

型号:IRF3711ZS

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK

库存:0

单价:

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥0.00