QS8M11TCR

制造商编号:
QS8M11TCR
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
描述:
MOSFET N/P-CH 30V 3.5A TSMT8
规格说明书:
QS8M11TCR说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 7.833149 7.83
10 6.865817 68.66
100 5.261265 526.13

规格参数

属性 参数值
制造商: Rohm Semiconductor(罗姆)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: -
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): -
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -
功率 - 最大值: -
工作温度: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SMD,扁平引线
供应商器件封装: TSMT8
标准包装: 3,000

客服

购物车

QS8M11TCR

型号:QS8M11TCR

品牌:Rohm Semiconductor罗姆

描述:MOSFET N/P-CH 30V 3.5A TSMT8

库存:0

单价:

1+: ¥7.833149
10+: ¥6.865817
100+: ¥5.261265
500+: ¥4.159328
1000+: ¥3.32746

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥7.83