IDB30E120ATMA1

制造商编号:
IDB30E120ATMA1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3
规格说明书:
IDB30E120ATMA1说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 22.057153 22.06
10 19.832788 198.33
100 15.944188 1594.42

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1200 V
电流 - 平均整流 (Io): 50A(DC)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 2.15 V @ 30 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 243 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 µA @ 1200 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装: PG-TO263-3-2
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
标准包装: 1,000

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IDB30E120ATMA1

型号:IDB30E120ATMA1

品牌:Infineon英飞凌

描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3

库存:0

单价:

1+: ¥22.057153
10+: ¥19.832788
100+: ¥15.944188
500+: ¥13.099835
1000+: ¥13.018495

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥22.06