库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥26.645141 | ￥26.65 |
| 10 | ￥23.938352 | ￥239.38 |
| 100 | ￥19.240328 | ￥1924.03 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Vishay(威世) |
| 系列: | TrenchFET® |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | P 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 10A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 7.5 毫欧 @ 14A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 900mV @ 600µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 175 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值）: | ±8V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 1.5W（Ta） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 8-SOIC |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装: | 2,500 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| BSO201SPHXUMA1 | Infineon Technologies | ¥14.05000 | 类似 |
| FDS6575 | onsemi | ¥11.44000 | 类似 |
SI4423DY-T1-E3
型号：SI4423DY-T1-E3
品牌：Vishay威世
描述：MOSFET P-CH 20V 10A 8SO
库存：0
单价：
| 1+： | ￥26.645141 |
| 10+： | ￥23.938352 |
| 100+： | ￥19.240328 |
| 500+： | ￥15.807618 |
| 1000+： | ￥13.549383 |
| 2500+： | ￥13.549383 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥26.65