货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥44.785719 | ¥44.79 |
10 | ¥40.248709 | ¥402.49 |
100 | ¥32.976314 | ¥3297.63 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | EPC |
系列: | eGaN® |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | GaNFET(氮化镓) |
漏源电压(Vdss): | 100 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 36A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 7 毫欧 @ 25A,5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.5V @ 5mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 9 nC @ 5 V |
Vgs(最大值): | +6V,-4V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 900 pF @ 50 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | - |
工作温度: | -40°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | 模具剖面(11 焊条) |
封装/外壳: | 模具 |
标准包装: | 2,500 |
EPC2001C
型号:EPC2001C
品牌:EPC
描述:GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
库存:0
单价:
1+: | ¥44.785719 |
10+: | ¥40.248709 |
100+: | ¥32.976314 |
500+: | ¥28.072514 |
1000+: | ¥23.675606 |
2500+: | ¥23.060654 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥44.79