IPS70R2K0CEAKMA1

制造商编号:
IPS70R2K0CEAKMA1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3
规格说明书:
IPS70R2K0CEAKMA1说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 7.443286 7.44
10 6.565594 65.66
100 5.036015 503.60

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: CoolMOS™
包装: 管件
零件状态: 不适用于新设计
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2 欧姆 @ 1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V @ 70µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7.8 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 163 pF @ 100 V
FET 功能: 超级结
功率耗散(最大值): 42W(Tc)
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO251-3-11
封装/外壳: TO-251-3 短截引线,IPak
标准包装: 75

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IPS70R2K0CEAKMA1

型号:IPS70R2K0CEAKMA1

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3

库存:0

单价:

1+: ¥7.443286
10+: ¥6.565594
100+: ¥5.036015
500+: ¥3.981189
1000+: ¥3.317665

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