BAS34-TR

制造商编号:
BAS34-TR
制造商:
Vishay威世
描述:
DIODE GEN PURP 60V 200MA DO35
规格说明书:
BAS34-TR说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
50000 0.375538 18776.90

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: Automotive, AEC-Q101
包装: 卷带(TR)
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 60 V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 100 mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 nA @ 30 V
不同 Vr、F 时电容: 3pF @ 0V,1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AH,DO-35,轴向
供应商器件封装: DO-35(DO-204AH)
工作温度 - 结: 175°C(最大)
标准包装: 50,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
1N457 onsemi ¥2.69000 类似
1N4148-1 Microchip Technology ¥5.76000 类似

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BAS34-TR

型号:BAS34-TR

品牌:Vishay威世

描述:DIODE GEN PURP 60V 200MA DO35

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