FDG6303N_G

制造商编号:
FDG6303N_G
制造商:
ON安森美
描述:
INTEGRATED CIRCUIT
规格说明书:
FDG6303N_G说明书

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货期: 8周-10周

封装: 散装

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规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: -
包装: 散装
零件状态: 停产
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 500mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 450 毫欧 @ 500mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.3nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 50pF @ 10V
功率 - 最大值: 300mW
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装: SC-88(SC-70-6)
标准包装: 1

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FDG6303N_G

型号:FDG6303N_G

品牌:ON安森美

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