APT21M100J

制造商编号:
APT21M100J
制造商:
Microchip微芯
描述:
MOSFET N-CH 1000V 21A ISOTOP
规格说明书:
APT21M100J说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
20 301.619758 6032.40

规格参数

属性 参数值
制造商: Microchip(微芯)
系列: POWER MOS 8™
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 21A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 380 毫欧 @ 16A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 260 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 8500 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 462W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
供应商器件封装: ISOTOP®
封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC
标准包装: 1

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型号 品牌 参考价格 说明
IXFN32N100P IXYS ¥268.86000 类似

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品牌:Microchip微芯

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