- 制造商编号：
- TSM026NA03CR RLG
- 制造商：
- Taiwan Semiconductor台湾积体电路
- 描述：
- MOSFET N-CH 30V 168A 8PDFN
- 规格说明书：
- TSM026NA03CR RLG说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥10.506367 | ￥10.51 |
| 10 | ￥9.367452 | ￥93.67 |
| 100 | ￥7.300122 | ￥730.01 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Taiwan Semiconductor(台湾积体电路) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 不适用于新设计 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 168A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 2.6 毫欧 @ 24A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 41 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 2540 pF @ 15 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 125W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 8-PDFN（5x6） |
| 封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
| 标准包装: | 2,500 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| RS1E280GNTB | Rohm Semiconductor | ¥6.37000 | 类似 |
TSM026NA03CR RLG
型号：TSM026NA03CR RLG
品牌：Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述：MOSFET N-CH 30V 168A 8PDFN
库存：0
单价：
| 1+： | ￥10.506367 |
| 10+： | ￥9.367452 |
| 100+： | ￥7.300122 |
| 500+： | ￥6.030729 |
| 1000+： | ￥4.7611 |
| 2500+： | ￥4.443683 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥10.51