DS75-08B

制造商编号:
DS75-08B
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
DIODE GEN PURP 800V 110A DO203AB
规格说明书:
DS75-08B说明书

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货期: 8周-10周

封装: 散装

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规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: -
包装: 散装
零件状态: 停产
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 800 V
电流 - 平均整流 (Io): 110A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.17 V @ 150 A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 6 mA @ 800 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 底座,接线柱安装
封装/外壳: DO-203AB,DO-5,接线柱
供应商器件封装: DO-203AB
工作温度 - 结: -40°C ~ 180°C
标准包装: 10

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DS75-08B

型号:DS75-08B

品牌:IXYS艾赛斯

描述:DIODE GEN PURP 800V 110A DO203AB

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