库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥80.713487 | ￥80.71 |
| 10 | ￥72.883788 | ￥728.84 |
| 100 | ￥60.342023 | ￥6034.20 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | IXYS(艾赛斯) |
| 系列: | Polar P3™ |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 2000 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 1A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 40 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 23.5 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 646 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 125W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-247HV |
| 封装/外壳: | TO-247-3 变式 |
| 标准包装: | 30 |
IXTH1N200P3HV
型号：IXTH1N200P3HV
品牌：IXYS艾赛斯
描述：MOSFET N-CH 2000V 1A TO247HV
库存：0
单价：
| 1+： | ￥80.713487 |
| 10+： | ￥72.883788 |
| 100+： | ￥60.342023 |
| 500+： | ￥52.545289 |
| 1000+： | ￥46.227558 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥80.71