STP11NM50N

制造商编号:
STP11NM50N
制造商:
ST意法半导体
描述:
MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220AB
规格说明书:
STP11NM50N说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 16.897222 16.90
10 14.227734 142.28
100 11.920437 1192.04

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: MDmesh™ II
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 470 毫欧 @ 4.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 19 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 547 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 70W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220
封装/外壳: TO-220-3
标准包装: 50

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IRF740LCPBF Vishay Siliconix ¥24.34000 类似
IRFB13N50APBF Vishay Siliconix ¥28.11000 类似
IXTP16N50P IXYS ¥36.17000 类似
IXFP12N50P IXYS ¥31.18000 类似
IXTP12N50P IXYS ¥29.26000 类似

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STP11NM50N

型号:STP11NM50N

品牌:ST意法半导体

描述:MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220AB

库存:0

单价:

1+: ¥16.897222
10+: ¥14.227734
100+: ¥11.920437
500+: ¥10.523251

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