货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥8.320978 | ¥8.32 |
10 | ¥7.300803 | ¥73.01 |
100 | ¥5.594775 | ¥559.48 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Infineon(英飞凌) |
系列: | HEXFET® |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 和 P 沟道 |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 2.7A,2A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 110 毫欧 @ 1.7A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 12nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 210pF @ 25V |
功率 - 最大值: | 1.25W |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) |
供应商器件封装: | Micro8™ |
标准包装: | 4,000 |
IRF7509TRPBF
型号:IRF7509TRPBF
品牌:Infineon英飞凌
描述:MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8
库存:0
单价:
1+: | ¥8.320978 |
10+: | ¥7.300803 |
100+: | ¥5.594775 |
500+: | ¥4.422566 |
1000+: | ¥3.685464 |
4000+: | ¥3.685316 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥8.32