IRF7509TRPBF

制造商编号:
IRF7509TRPBF
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8
规格说明书:
IRF7509TRPBF说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 8.320978 8.32
10 7.300803 73.01
100 5.594775 559.48

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: HEXFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.7A,2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 110 毫欧 @ 1.7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 12nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 210pF @ 25V
功率 - 最大值: 1.25W
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
供应商器件封装: Micro8™
标准包装: 4,000

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IRF7509TRPBF

型号:IRF7509TRPBF

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8

库存:0

单价:

1+: ¥8.320978
10+: ¥7.300803
100+: ¥5.594775
500+: ¥4.422566
1000+: ¥3.685464
4000+: ¥3.685316

货期:1-2天

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