STGW25H120DF2

制造商编号:
STGW25H120DF2
制造商:
ST意法半导体
描述:
IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247
规格说明书:
STGW25H120DF2说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 61.869444 61.87
10 55.926198 559.26
100 46.298014 4629.80

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 100 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.6V @ 15V,25A
功率 - 最大值: 375 W
开关能量: 600µJ(开),700µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 100 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 29ns/130ns
测试条件: 600V,25A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 303 ns
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: TO-247-3
标准包装: 30

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
NGTB30N120L2WG onsemi ¥64.36000 类似
IXGH24N120C3 IXYS ¥64.43000 类似
IXGH20N120A3 IXYS ¥57.52000 类似

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STGW25H120DF2

型号:STGW25H120DF2

品牌:ST意法半导体

描述:IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247

库存:0

单价:

1+: ¥61.869444
10+: ¥55.926198
100+: ¥46.298014
500+: ¥42.941348

货期:1-2天

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单价:¥0.00总价:¥61.87