STP9NM60N

制造商编号:
STP9NM60N
制造商:
ST意法半导体
描述:
MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220AB
规格说明书:
STP9NM60N说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 27.018148 27.02
10 24.252922 242.53
100 19.490491 1949.05

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: MDmesh™ II
包装: 管件
零件状态: 不适用于新设计
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 745 毫欧 @ 3.25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 17.4 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 452 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 70W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220
封装/外壳: TO-220-3
标准包装: 50

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STP9NM60N

型号:STP9NM60N

品牌:ST意法半导体

描述:MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220AB

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1+: ¥27.018148
10+: ¥24.252922
100+: ¥19.490491
500+: ¥16.013493
1000+: ¥14.557721

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