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货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Microsemi(美高森美) |
| 系列: | POWER MOS 8™ |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 停产 |
| IGBT 类型: | PT |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 600 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 78 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 130 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 1.6V @ 15V，26A |
| 功率 - 最大值: | 337 W |
| 开关能量: | 409µJ（开），450µJ（关） |
| 输入类型: | 标准 |
| 栅极电荷: | 128 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值: | 16ns/102ns |
| 测试条件: | 400V，26A，4.7 欧姆，15V |
| 工作温度: | - |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | TO-247-3 |
| 供应商器件封装: | TO-247 [B] |
| 标准包装: | 30 |
APT44GA60BD30C
型号：APT44GA60BD30C
品牌：Microsemi美高森美
描述：IGBT 600V 78A 337W TO247
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